| 論文発表 | ||
| (1) | M. Yamaguchi, T. Oba and Y. Masuda | |
| Fabrication of BIT Films by Alcohol-Related Ink and Its Properties | ||
| Ferroelectrics, (2009) pp. 106-112. | ||
| (2) | M. Yamaguchi, A. Yamamoto and Y. Masuda | |
| Fabrication of Bi4Ti3O12 Films on Pt Substrates by Inkjet Printing | ||
| Journal of Korean Physical Society, (2007) pp. 747-750. | ||
| (3) | M. Yamaguchi, A. Yamamoto and Y. Masuda | |
| Thermal Stability of Platinum Bottom Electrode for Bismuth Titanate Thin Films | ||
| Integrated Ferroelectrics, Vol. 79 (2006) pp. 235-243. | ||
| (4) | M. Yamaguchi and Y. Masuda | |
| Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Applying Metal-Organic-Decomposition and Their Properties | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 42 (2003) pp. 5973-5976. | ||
| (5) | M. Yamaguchi and Y. Masuda | |
| Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Supplying Metal-Organic-Decomposition Method | ||
| Journal of Korean Physical Society, (2003) pp. S1408-S1411. | ||
| (6) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and Y. Masuda | |
| Preparation of Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si Structures Derived by Metal Organic Decomposition Technique | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 40 (2001) pp. 5559-5563. | ||
| (7) | M. Yamaguchi, K. Hiraki, T. Nagatomo and Y. Masuda | |
| Preparation and Properties Bi2SiO5/Si Structures | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 39 (2000) pp. 5512-5516. | ||
| (8) | T. Homma, Y. Ariyama H. Kondo, M. Sakamoto, S. Kanegae, M Itoh, M. Yamaguchi and H. Takahashi | |
| Optical Properties of Fluorinated Silicon Oxide and Organic Spin-on-Glass Films for Thin-Film Optical Waveguides | ||
| Journal of Electrochemical Society, 147 (2000) pp. 1141-1144. | ||
| (9) | M. Yamaguchi and T. Nagatomo | |
| Processes for High Efficiency of Organic EL Devices with Dopants | ||
| Thin Solid Films, 363 (2000) pp. 21-24. | ||
| (10) | T. Homma, A. Takasaki, M. Yamaguchi, H. Kokubun and H. Machida | |
| A Process for Copper Films Deposition by Pyrolysis of Organic Cpooer Materials | ||
| Journal of Electrochemical Society, 147 (2000) pp. 580-585. | ||
| (11) | M. Yamaguchi and T. Nagatomo | |
| Preparation and Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Grown at Low Substrate Temperatures | ||
| Thin Solid Films, 348 (1999) pp. 294-298. | ||
| (12) | T. Homma, M. Yamaguchi, Y. Kutsuzawa and N. Otsuka | |
| Electrical Stability of Polyimide Siloxane films for Interlayer Dielectrics in Multilevel Interconnections | ||
| Thin Solid Films, 340 (1999) pp. 237-241. | ||
| (13) | M. Yamaguchi and T. Nagatomo | |
| Effect of Grain Size on Bi4Ti3O12 Thin Film Properties | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 37 (1998) pp. 5166-5170. | ||
| (14) | T. Homma, A. Satoh, S. Okada, M. Itoh, M. Yamaguchi and H. Takahashi | |
| Optical Properties of Fluorinated Silicon Oxide Films by Liquid Phase Deposition for Optical Waveguide | ||
| IEEE Transaction on Instrumentation and Measurement, 47 (1998), pp. 698-702. | ||
| (15) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Grown at Low Temperatures | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 36 (1997) pp. 5885-5888. | ||
| (16) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Preparation of Highly C-Axis-Oriented Bi4Ti3O12 Thin Films and Their Crystallographic, Dielectric and Optical Properties | ||
| Thin Solid Films, 300 (1997) pp. 299-304. | ||
| (17) | M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Preparation and Characterization of Highly C-Axis Oriented Bi4Ti3O12 Thin Films | ||
| Materials Science and Engineering B41 (1996) pp. 138-142. | ||
| (18) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Preparation and Characterization of Ferroelectric Bi4Ti3O12 Thin Films Grown on (100)-Oriented Silicon Wafers | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 35 (1996) pp. 4984-4986. | ||
| (19) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Physical Properties of Bi4Ti3O12 Films Grown on Si(100) Wafers | ||
| Japanese Journal of Applied Physics, 34 (1995) pp. 5116-5119. | ||
| 国際学会発表 | ||
| (1) | M. Yamaguchi, Y. Mashiko, and H. Nishikawa | |
| Micro-pattern of Ferroelectric Films by Proton Beam Writing, | ||
| China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications, pp. 17-18, August 20-23, 2009, Dunhuang Legend Hotel, Dunhuang, Gansu, China. | ||
| (2) | M. Yamaguchi, T. Oba, and Y. Masuda | |
| Fabrication of BIT Films by Alcohol-Related Ink and its Properties | ||
| The 6th Asian Meeting on Ferroelectrics, O-4-2-11, August 2 - 6, 2008, National Taipei University of Technology, Taipei, Taiwan. | ||
| (3) | M. Yamaguchi, A. Yamamoto and Y. Masuda | |
| Fabrication of BIT Thin Films by Alcohol-Related Materials and Its Properties | ||
| 13th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics, 6p-T-C13, Nov.4 - 7, 2007, Awaji Yumebutai International Conference Center, Awaji city, Hyogo, Japan | ||
| (4) | M. Yamaguchi, A. Yamamoto and Y. Masuda | |
| Fabrication of Bi4Ti3O12 Thin Films Using Alcohol Related Solutions by Micro Liquid Delivery Systems | ||
| The 16th International Symposium on the Application of Ferroelectrics, 29PS-A-30, May 27 - 30, 2007, Nara-ken New Public Hall, Nara, Japan. | ||
| (5) | M. Yamaguchi, A. Yamamoto and Y. Masuda | |
| Fabrication of Bi4Ti3O12 Films on Pt Substrate by Inkjet Printing | ||
| The 6th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity, P44, August 18-19, 2006, Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan. | ||
| (6) | M. Yamaguchi, A. Yamamoto and Y. Masuda | |
| Thermal Stability of Platinum Bottom Electrode for Bismuth Titanate Thin Films | ||
| International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2005, 3-38-P. | ||
| (7) | M. Yamaguchi and Y. Masuda | |
| Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Supplying Metal-Organic-Decomposition Method | ||
| The 4th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics, P2-56, p. 135. | ||
| (8) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and Y. Masuda | |
| Physical Properties of MOD Derived Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si Structures | ||
| Proceedings of the 13th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, (2003) pp. 231-234. | ||
| (9) | M. Yamaguchi, T. Nagatomo and Y. Masuda | |
| Effect of Bismuth Content on Physical Properties of MOD Derived Bi2SiO5 Thin Films for MFIS Structures | ||
|
13th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 03a-S11-17, p. 446. | ||
| (10) | M. Yamaguchi, K. Hiraki, T. Nagatomo and Y. Masuda | |
| Preparation of Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si Structures Derived by Metal Organic Decomposition Technique | ||
| Proceedings of the 2000 12th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics, II (2001) pp. 629-632. | ||
| (11) | A. Setiyadi, H. Sugiyama, H. Itoh, M. Yamaguchi and T. Nagatomo | |
| Structural, Electrical and Optical Properties of CuInSe2 Thin Films Prepared by E-B Evaporation from Binary Compounds | ||
| 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, P-I-78, pp. 453-454. | ||
| (12) | T. Yamazawa, N. Yamauchi, M. Yamaguchi and T. Nagatomo | |
| Physical and Photovoltaic Properties of Tin Selenide Thin Films | ||
| 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, P-I-5, pp. 307-308. | ||
| (13) | T. Nagatomo and M. Yamaguchi | |
| Processes for High Efficiency of Organic EL Devices with Dopants | ||
| Asia-Pacific Symposium on Organic Electroluminescent Materials and Devices, 2.10, June 7 - 12, 1999, City University of Hong Kong, Hong Kong, China. | ||
| (14) | T. Nagatomo, A. Setiyadi, M. Yamaguchi, Y. Tsukino and N. Yamauchi | |
| Photovoltaic Properties of Vaccum-Deposited Tin Selenide for Solar for Cell Materials | ||
| Proceedings of the International Conference held at Vienna, pp. 713-715. | ||
| (15) | M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Ferroelectric Bi4Ti3O12 Thin Films Grown on (100)-Oriented Silicon Wafers | ||
| Third Pacific-Rim Conference on Ferroelectric Applications, IV-6, pp. 75-78. | ||
| (16) | M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Preparation and Characterization of Highly C-Axis Oriented Bi4Ti3O12 Thin Films | ||
| 2nd International Symposium on Oxide Electronics, F-6, p. 30. | ||
| (17) | G. P. Wei, Z. L. Zhang, W. M. Zhao, X. H. Gao, W. Q. Chen, H. Tanamura, M. Yamaguchi, H. Noguchi, T. Nagatomo and O. Omoto | |
| Investigation on SnS Film by RF Sputtering for Photovoltaic Application | ||
|
Proceedings of the 1994 IEEE First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Conference Record of the 24th IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1994, Vol. 1, pp. 365-368. | ||
| 国内学会発表 | ||
| (1) | 大場友裕, 前田慎弥, 山口正樹 | |
| インクジェット用強誘電体インクの安定性改善 | ||
| 2010年 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 18a-TR-11, 2010年3月17日〜20日, 東海大学湘南キャンパス. | ||
| (2) | 山口正樹, 増子雄太, 塩嵜忠, 西川宏之 | |
| プロトンビームによる強誘電体薄膜のパターニング | ||
| 2009年 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 11p-L-8, 2009年9月8日〜11日, 富山大学. | ||
| (3) | 山口正樹, 増子雄太, 西川宏之 | |
| 感光性溶液を用いた強誘電体薄膜のパターニング | ||
| 第26回 強誘電体応用会議, 29-T-18, 2009年5月27日〜30日, コープイン京都. | ||
| (4) | 山口正樹, 大場友裕 | |
| Bi4Ti3O12薄膜の電気的特性に及ぼす結晶構造の影響 | ||
| 2009年 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZH-2, 2009年3月30日〜4月2日, 筑波大学筑波キャンパス. | ||
| (5) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| 焼成酸素圧によるBi4Ti3O12薄膜の電気特性変化 | ||
| 2008年 秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 2a-K-2, 2008年9月2日〜5日, 中部大学. | ||
| (6) | 山口 正樹, 大場 友裕, 上村 武史 | |
| チタン酸ビスマス薄膜の強誘電特性に及ぼす焼成雰囲気の影響 | ||
| 第25回 強誘電体応用会議, 30-T-17, 2008年5月28日〜31日, コープイン京都. | ||
| (7) | 山口正樹, 大場友裕, 上村武史 | |
| アルコール系インクにより形成したBi4Ti3O12薄膜特性の焼成条件依存性 | ||
| 2008年 春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 30a-P14-14, 2008年3月27日〜30日, 日本大学理工学部船橋キャンパス. | ||
| (8) | 山口正樹 | |
| アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜の強誘電特性 | ||
| 2007年 秋季 第68回応用物理学会学術講演会, 5a-ZL-2, 2007年9月4日〜8日, 北海道工業大学. | ||
| (9) | 山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 | |
| アルコール系溶液によるチタン酸ビスマス薄膜の作製と評価 | ||
| 第24回 強誘電体応用会議, 23-T-1, 2007年5月23日〜26日, コープイン京都. | ||
| (10) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| インクジェット法によるチタン酸ビスマス薄膜の作製 | ||
| 第23回 強誘電体応用会議, 26-T-20, 2006年5月24日〜27日, コープイン京都. | ||
| (11) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜形成における焼成雰囲気の影響 | ||
| 2006年 春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 24p-S-6, 2006年3月22日〜26日, 武蔵工業大学世田谷キャンパス. | ||
| (12) | 山本麻, 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| オゾン雰囲気下で形成したBi4Ti3O12薄膜の評価 | ||
| 2006年 春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 24p-S-5, 2006年3月22日〜26日, 武蔵工業大学世田谷キャンパス. | ||
| (13) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| アルコール系溶液を用いたBi4Ti3O12薄膜の形成 | ||
| 2005年 秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 7p-L-9, p. 463, 2005年9月7日〜1日, 徳島大学. | ||
| (14) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| Pt基板における熱的安定性の改善 | ||
| 第22回 強誘電体応用会議, 27-T-22, pp. 173-174, 2005年5月25日〜28日, コープイン京都. | ||
| (15) | 越前正洋, 増田陽一郎, 山口正樹, 高島啓 | |
| 強誘電体記録を目的とした強誘電体薄膜の分極反転特性 | ||
| 第22回 強誘電体応用会議, 25-T-4, pp. 19-20, 2005年5月25日〜28日, コープイン京都. | ||
| (16) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| Pt電極の安定化によるBi4Ti3O12薄膜特性の改善 | ||
| 2005年 春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 29a-P1-2, p. 641, 2005年3月29日〜4月1日, 埼玉大学. | ||
| (17) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| Si基板上Bi4Ti3O12薄膜への触媒添加効果 | ||
| 2004年 秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 2p-Y-17, p. 482, 2004年9月1日〜4日, 東北学院大学泉キャンパス. | ||
| (18) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| チタン酸ビスマス薄膜におけるシリコン添加効果 | ||
| 第21回 強誘電体応用会議, 27-T-20, pp. 61-62, 2004年5月26日〜29日, コープイン京都. | ||
| (19) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| シリコン基板上に作成したチタン酸ビスマス薄膜におけるシリコン添加の効果 | ||
| 2004年 春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZL-1, p. 614, 2004年3月28日〜31日, 東京工科大学. | ||
| (20) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| Bi4Ti3O12薄膜特性の原料塗布順序依存性 | ||
| 2003年 秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 30p-V-7, p. 482, 2003年8月30日〜9月2日, 福岡大学七隈キャンパス. | ||
| (21) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| 原料交互供給によるチタン酸ビスマス薄膜の作成と評価 | ||
| 第20回 強誘電体応用会議, 29-T-25, pp. 83-84, 2003年5月28日〜31日, コープイン京都. | ||
| (22) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の低温成長 | ||
| 2003年 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 28a-R-8, p. 589. | ||
| (23) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| 原料交互塗布によるBi4Ti3O12薄膜の作成 | ||
| 2002年 秋季 第63回応用物理学会学術講演会, 27a-P14-14, p. 477. | ||
| (24) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi組成によるBi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造の特性変化 | ||
| 2002年 春季 第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZA-5, p. 530. | ||
| (25) | 長野一将，西野貴幸，山口正樹, 長友隆男 | |
| 非晶質基板上GaN薄膜成長におけるグレーティング構造の効果 | ||
| 2002年 春季 第49回応用物理学関係連合講演会, 27a-ZM-18, p. 355. | ||
| (26) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造の作成とその特性 | ||
| 2001年 秋季 第62回応用物理学会学術講演会, 12a-ZR-9, p. 385. | ||
| (27) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| MOD法によるBi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造の作製 | ||
| 第18回 強誘電体応用会議, 1-T-36, pp. 127-128, 2001年5月30日〜6月2日, コープイン京都 | ||
| (28) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| MOD法により作成したBi2SiO5薄膜の特性に及ぼすBi組成の影響 | ||
| 2001年 春季 第48回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZX-4, p. 536. | ||
| (29) | 佃大輔, 本間哲哉, 高崎明人,山口正樹, 町田英明, 高橋英郎 | |
| 有機銅溶液の熱分解により形成した銅薄膜の特性 | ||
| 2000年 秋季 第61回応用物理学会学術講演会, 5a-P8-3, p. 752. | ||
| (30) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| MOD法により作成したBi2SiO5/Si構造の評価 | ||
| 2000年 秋季 第61回応用物理学会学術講演会, 5a-G-8, p. 437. | ||
| (31) | 山口正樹, 平木康嗣, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi2SiO5/Si構造の作製と評価 | ||
| 第17回 強誘電体応用会議, 27-T-46, pp. 209-210, 2000年5月24日〜27日, コープイン京都 | ||
| (32) | 花輪幸治, 加藤智彦,山口正樹, 長友隆男 | |
| 白色発光有機EL素子の作製 | ||
| 2000年 春季 第47回応用物理学関係連合講演会, 30a-Y-5, p. 1261. | ||
| (33) | 平木康嗣,山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| MOD法を用いたBi2SiO5薄膜の作製 | ||
| 2000年 春季 第47回応用物理学関係連合講演会, 30a-P11-33, p. 535. | ||
| (34) | 吉村勇人, 内山秀一,山口正樹, 長友隆男 | |
| 反応性真空蒸着法によるIn2O3薄膜の作製とO3の効果 | ||
| 1999年 秋季 第60回応用物理学会学術講演会, 4a-C-6, p.522, 1999年8月31日〜9月4日, 甲南大学. | ||
| (35) | 山口正樹, 長友隆男 | |
| 強誘電体Bi4Ti3O12薄膜の光学特性と格子定数の関係 | ||
| 1999年 秋季 第60回応用物理学会学術講演会, 3p-A-9, p.457, 1999年8月31日〜9月4日, 甲南大学. | ||
| (36) | 佃大輔, 本間哲哉, 高崎明人,山口正樹, 町田英明, 高橋英郎 | |
| 有機銅溶液の熱分解による銅薄膜特性の堆積温度依存性 | ||
| 1999年 秋季 第60回応用物理学会学術講演会, 2p-ZN-6, p.720. | ||
| (37) | 平木康嗣, 山口正樹, 長友隆男 | |
| RFスパッタリング法によるBi2SiO5薄膜の作製と評価 | ||
| 1999年 春季 第46回応用物理学関係連合講演会, 29p-L-17, p. 583. | ||
| (38) | 山口正樹, 青柳貴之, 長友隆男 | |
| 分子分散型有機EL素子の高効率化と多色化 | ||
| 第47回 高分子討論会, IIC01, pp. 1868-1869, 1998年9月29日〜10月2日, 名古屋国際会議場. | ||
| (39) | 山口正樹, 長友隆男 | |
| Bi4Ti3O12薄膜の粒径効果 | ||
| 第15回 強誘電体応用会議, 29-T-20, pp. 151-152. | ||
| (40) | 山口正樹, 長友隆男 | |
| Bi4Ti3O12/Si構造の形成と評価 | ||
| 1998年 春季 第45回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZF-13, p. 618. | ||
| (41) | 山口正樹, 長友隆男, 大本修 | |
| Bi4Ti3O12低温形成膜の特性 | ||
| 第14回 強誘電体応用会議, 28-TP-11, pp. 51-52. | ||
| (42) | 山口正樹, 長友隆男, 大本修 | |
| 低温形成Bi4Ti3O12薄膜の特性 | ||
| 1997年 春季 第44回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZF-4, p. 487. | ||
| (43) | 山口正樹, 長友隆男, 大本修 | |
| Bi4Ti3O12薄膜に及ぼすバッファ層の効果 | ||
| 1996年 秋季 第57回 応用物理学会学術講演会, 9p-F-12 p. 440. | ||
| (44) | 山口正樹, 長友隆男, 大本修 | |
| Si基板上へのBi4Ti3O12強誘電体薄膜の作製と評価 | ||
| 第13回 強誘電体応用会議, 1-TP-19, pp. 199-200. | ||
| (45) | 山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修 | |
| Bi4Ti3O12強誘電薄膜の作製と評価 | ||
| 1996年 春季 第43回応用物理学関係連合講演会, 27a-V-10, p. 457. | ||
| (46) | 山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修 | |
| 高c軸配向Bi4Ti3O12薄膜の作製 | ||
| 1995年 秋季 第56回応用物理学会学術講演会, 27a-ZG-4, p. 397. | ||
| (47) | 山口正樹, 長友隆男, 大本修 | |
| RFマグネトロンスパッタリング法によるBi4Ti3O12薄膜の作製 | ||
| 第12回 強誘電体応用会議, 27-TP-19, 1995, pp. 189-190. | ||
| (48) | 山口正樹, 猪越誠, 長友隆男, 大本修 | |
| RFマグネトロンスパッタリング法によるBi4Ti3O12薄膜の作製 | ||
| 1995年 春季 第42回応用物理学関係連合講演会, 29p-D-5, p. 441. | ||
| 研究会発表 | ||
| (1) | 大場友裕, 前田慎弥, 山口正樹 | |
| 強誘電体インクの安定性改善 | ||
|
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術報告, SDM2009-167 (2009-12) pp. 83-88, 2009年12月4日, 奈良先端科学技術大学院大学. | ||
| (2) | 山口正樹, 大場友裕, 増田陽一郎 | |
| アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価 | ||
|
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術報告, SDM2008-192 (2008-12) pp. 43-47, 2008年12月5日, 京都大学桂キャンパス. | ||
| (3) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性 | ||
|
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2007-236 (2007-12) pp. 59-62, 2007年12月14日, 奈良先端科学技術大学院大学. | ||
| (4) | 山口正樹, 山本 麻, 増田陽一郎 | |
| インクジェット法におけるパターン形状の改善 | ||
|
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2006-211 (2006-12) pp. 55-60, 2006年12月14日，京都大学桂キャンパス. | ||
| (5) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製 | ||
|
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2005-212 (2005-12) pp. 59-64, 2005年12月21日，奈良先端科学技術大学院大学. | ||
| (6) | 山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 | |
| 下部白金電極膜の熱的安定性 | ||
| 第81回誘電体研究委員会, 2005年3月28日, 財団法人 科学技術振興会 森戸記念館. | ||
| (7) | 山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 | |
| 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2004-254 (2005-3) pp. 29-33, 2005年3月11日，機会振興会館. | ||
| (8) | 山口正樹, 山本麻, 佐藤嘉國, 増田陽一郎 | |
| BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2004-197 (2004-12) pp. 31-36, 2004年12月16日，京都大学桂キャンパス. | ||
| (9) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2003-185 (2003-12) pp. 39-43, 2003年12月19日，奈良先端科学技術大学院大学. | ||
| (10) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| 原料交互供給によるチタン酸ビスマス薄膜の特性 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2002-273 (2003-3) pp. 55-59, 2003年3月18日，機会振興会館. | ||
| (11) | 山口正樹, 増田陽一郎 | |
| 原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2002-221 (2002-12) pp. 57-62, 2002年12月20日，京都大学ベンチャービジネスラボラトリー. | ||
| (12) | 山口正樹 | |
| 固体発光素子：有機EL | ||
| 電気学会 第4回新しい光源・計測調査専門委員会, 2002年4月19日. | ||
| (13) | 田中哲也，長島奨，山口正樹, 長友隆男 | |
| イリジウム錯体を用いた有機EL素子 | ||
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電子情報通信学会 電子デバイス/シリコン材料・デバイス/有機エレクトロニクス研究会,電子情報通信学会技術研究報告, DE2002-10/SDM2002-10/OME2002-10 (2002-4) pp. 13-18, 2002年4月16日〜17日，福岡県飯塚研究開発センター. | ||
| (14) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi4Ti3O12薄膜組成によるMFIS構造の特性 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2001-258 (2002-3) pp. 25-30, 2002年3月14日〜15日，東京工業大学すずかけ台キャンパス. | ||
| (15) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi4Ti3O12/Bi2SiO5/Si構造に及ぼすBi組成の影響 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2001-186 (2001-12) pp. 17-22, 2001年12月20日，奈良先端科学技術大学院大学. | ||
| (16) | 長野一将，西野貴幸，山口正樹，長友隆男 | |
| グレーティング構造を用いた非晶質機板上へのGaN薄膜の成長 | ||
| SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第10回講演会, P-72, p. 88, 1998年11月12日〜13日，京都工芸繊維大学. | ||
| (17) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi2SiO5構造の作成とBi組成の効果 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2000-230 (2001-3) pp. 15-20, 2001年3月5日〜6日，機会振興会館. | ||
| (18) | 山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| MOD法によるBi2SiO5薄膜の低温作製と諸特性 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM2000-176 (2000-12) pp. 61-66, 2000年12月21日，奈良先端科学技術大学院大学. | ||
| (19) | 平木康嗣,山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Bi2SiO5/Si構造の作成とその評価 | ||
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電子情報通信学会 電子デバイス研究会/シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, ED99-327, SDM99-220 (2000-3) pp. 7-12, 2000年3月8日〜9日，高知工科大学. | ||
| (20) | 杉渕大樹, 早瀬裕介,山口正樹, 長友隆男 | |
| 低温GaN層の熱的安定性 | ||
| SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第8回講演会, P-68, p. 81. | ||
| (21) | 平木康嗣,山口正樹, 長友隆男, 増田陽一郎 | |
| Si基板上に形成したBi2SiO5薄膜の特性 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM99-166 (1999-12) pp. 21-28, 1999年12月9日，京都大学. | ||
| (22) | 長友隆男,山口正樹 | |
| 分子分散型有機EL素子の高効率化 | ||
| 電気学会, 光応用・視覚研究会, LAV-98-8, pp. 7-12, 電気学会. | ||
| (23) | 山口正樹, 長友隆男 | |
| シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM97-174 (1997-12) pp. 71-78, 1997年12月12日〜12日，京都大学. | ||
| (24) | 山口正樹, 長友隆男, 大本修 | |
| Bi4Ti3O12薄膜の低温形成とその膜特性 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM96-157 (1996-12) pp. 7-13, 1996年12月5日〜6日，京都大学. | ||
| (25) | 山口正樹, 川鍋賢祐, 長友隆男, 大本修 | |
| 高c軸配向Bi4Ti3O12薄膜の作製と評価 | ||
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, SDM95-182 (1995-12) pp. 55-62, 1995年12月7日〜8日，京都大学. | ||
| 著書 | ||
| (1) | 山口正樹, 山本麻, 増田陽一郎 | |
| プリンタブル・エレクトロニクス技術開発最前線（材料開発・応用技術編） | ||
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第3節電子部品の応用, アルコール系インクの検討とインクジェットプリント法による強誘電体薄膜パターンの形成 分担執筆, 技術情報協会, 2008年１月発行． | ||
| その他 | ||
| (1) | 山口正樹 | |
| インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画 | ||
| 技術情報協会 電気・電子系セミナー, エレクトロニクス分野における印刷法の現状と課題, 2008年11月28日, 大田区産業プラザPiO. | ||
| (2) | 山口正樹 | |
| インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画 | ||
| 技術情報協会 電気・電子系セミナー, 印刷法パターニングによる超微細薄膜作成技術, 2007年6月27日, 大田区産業プラザPiO. | ||
| (3) | 山口正樹 | |
| インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画 | ||
| 技術情報協会 電気・電子系セミナー, インクジェット法を用いたセラミックスのパターニング技術, 2007年3月26日, きゅりあん. | ||
| (4) | 山口正樹 | |
| 電子デバイスへの応用展望 | ||
| 文部科学省 学術フロンティア推進事業公開セミナー, 芝浦工業大学 先端工学研究機構 フレキシブル微細加工研究センター・オープニングシンポジウム, 2007年 2月 26日, 芝浦工業大学豊洲キャンパス. | ||
| (5) | 山口正樹 | |
| インクジェット法による強誘電体薄膜の形成と微細パターンの直接描画 | ||
| 技術情報協会 電気・電子系セミナー, エレクトロニクス分野における印刷法パターニング技術, 2006年6月19日, ゆうぽうと. | ||
| (6) | 山口正樹 | |
| 固体発光：有機EL | ||
| 電気学会技術報告，新しい光源・計測, pp. 31-32. | ||
| (7) | 山口正樹, 山本麻, 佐藤嘉國 | |
| 強誘電体薄膜形成に用いる下部白金電極膜の熱的安定性 | ||
| マイクロアクチュエータ用強誘電体ナノ構造薄膜に関する研究成果報告会, 八戸工業大学. | ||
| (8) | 山口正樹, 長野一將, 西野貴幸 | |
| トリガー物質によるIII族窒化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用 | ||
| 先端工学研究機構情報・環境材料研究センター研究成果報告会, pp. 3-5. | ||
| (9) | 山口正樹 | |
| MOD-Bi4Ti3O12薄膜に関する結晶化過程の検討 | ||
| 誘友会研究会. | ||
| (10) | 山口正樹, 早瀬裕介, 長野一將 | |
| トリガー物質によるIII族窒化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用 | ||
| 先端工学研究機構情報・環境材料研究センター研究成果報告会, pp. 51-58. | ||
| (11) | 山口正樹 | |
| MOD法によるBi2SiO5薄膜の低温作製と諸特性 | ||
| 誘友会研究会 | ||
| (12) | 山口正樹, 杉渕大樹, 早瀬裕介 | |
| トリガー物質によるIII族窒化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用 | ||
| 新材料創成シンポジウム, pp. 43-49. | ||
| (13) | 山口正樹 | |
| シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価に関する研究 | ||
| 芝浦工業大学研究報告理工系編, 43-1 (1999) pp. 99-105. | ||
| (14) | 山口正樹 | |
| トリガー物質によるIII族窒化物半導体物性の制御と電子デバイスへの応用 | ||
| 先端工学研究機構情報・環境材料研究センター研究成果報告会, pp. 41-44. | ||